SRAMの不良セルをテスト工程でピンポイントで修復する手法，東大とSTARCが開発

http://techon.nikkeibp.co.jp/article/NEWS/20120220/205133/

電子を注入する際にすべてのワード線の電位を高めておくことで、データが反転している不良セルだけに電子が選択的に注入されるようにする。この手法は「どのセルが不良であるかを特定する手間を省いて、不良セルを自動的に修復できる。